| 產(chǎn)地 | 山東 |
|---|---|
| 類型 | 紅外光譜儀 |
| 色散元件 | 干涉光譜儀 |
| 探測器類型 | 分光鏡 |
| 銷售方式 | 直銷 |
| 種類 | 光譜儀 |
| 執(zhí)行質(zhì)量標準 | 國標 |
| 貿(mào)易屬性 | 促銷 |
| 工作波長范圍 | 140-680 |
| 發(fā)貨期限 | 10天 |
| 品牌 | 五星 |
| 型號 | T5WXCS |
| 加工定制 | 是 |
| 使用溫度范圍 | 25℃ |
| 質(zhì)量認證 | ISO9001-2000 |
| 狹縫尺寸 | 211 |
T5型全譜直讀光譜儀采用國際標準的設計和制造工藝技術(shù)，應用了日本濱松公司的CMOS信號采集元件，每塊CMOS都可以單獨設值火花個數(shù)，與國際光譜儀技術(shù)同步，采用真空光室設計及全數(shù)字激發(fā)光源。這款CMOS光譜儀，既包含了CCD光譜儀的全譜特性，又具備PMT光譜儀對非金屬元素的極低檢出限，整機設計合理，操作簡單易學，具有數(shù)據(jù)準，長期穩(wěn)定性好等優(yōu)點。
全譜譜線圖
CCD+CMOS全譜分析技術(shù)
豐富的譜線信息，分析靈敏線更多，保證分析的準 確 度；
基于全譜測量的數(shù)據(jù)，能夠正確區(qū)分背景和譜線，有效提高測量精度；
智能選擇合適的靈敏線，通過多譜線結(jié)合技術(shù)，實現(xiàn)低中高含量段的檢測需求；
基于全譜測量數(shù)據(jù)的多峰擬合技術(shù)，有效消除譜線干擾，實現(xiàn)精
實時智能漂移校正技術(shù)
在分析過程中實時進行光譜漂移校正，增強儀器穩(wěn)定性；
減少標準化校正次數(shù)，延長校正周期；
自動完成儀器校正，操作更加簡便。
譜線漂移校正
CMOS檢測技術(shù)優(yōu)于CCD
CMOS相比CCD具有更高的靈敏度和響應速度；
CMOS相比CCD具有更好的線性度；
CMOS相比CCD具有極高的紫外光敏感度，在深紫外區(qū)如碳、磷、硫、硼、砷、氮等短波元素的檢測更準確。
· 國內(nèi)CMOS全譜接收技術(shù)；
· 
人性化一鍵激發(fā)，一鍵緊急停止；
· 一體化光室光學系統(tǒng)設計；
· 可編程脈沖全數(shù)字光源技術(shù)；
· 可分析Fe、Al、Cu、Zn、Ni、Ti、Mg、Co等多種基體；
· 波長范圍140-680nm，可滿足更多元素的分析要求。
| 通道名 | 通道分析范圍 | 所選 通道 √ | 要求分析材料及其分析范圍(參考程序) | ||||||
| 不銹鋼 | 低中合金鋼（碳鋼） |
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| C | 0.002-4.5 | √ | 0.01-0.2 | 0.004-1.3 |
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| Si | 0.001-7.5 | √ | 0.06-2.3 | 0.001-1.8 |
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| Mn | 0.0005-3 | √ | 0.06-3 | 0.002-2.0 |
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| P | 0.0003-2.3 | √ | 0.004-0.06 | 0.001-0.08 |
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| S | 0.0002-0.5 | √ | 0.001-0.08 | 0.001-0.06 |
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| Cr1 | 0.001-4 | √ |
| 0.002-4 |
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| Cr2 | 4-35 | √ | 11-30 |
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| Ni1 | 0.001-4.5 | √ |
| 0.002-4 |
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| Ni2 | 4.5-25 | √ | 4.5-25 |
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| Mo | 0.001-10 | √ | 0.06-4 | 0.002-2.0 |
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| V | 0.0003-4.5 | √ | 0.02-0.8 | 0.001-1.0 |
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| Ti | 0.0001-3.0 | √ | 0.04-1 | 0.001-1.0 |
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| Cu | 0.0001-5 | √ | 0.06-6 | 0.01-1.2 |
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| Al | 0.0003-2.5 | √ | 0.003-2 | 0.01-1.5 |
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| Fe | STD | √ |
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